时间：2025/8/9 13:17:16
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2SK3769-01MR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，常用于高频率开关应用和电源管理系统。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于如DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路等高效率功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：连续：30A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大值为7.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：100W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：SMD（表面贴装器件）
2SK3769-01MR MOSFET具有多项高性能特性，首先其低导通电阻确保了在高电流工作条件下，器件的功耗和发热都处于较低水平，从而提高了整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式栅极结构，提供了优异的开关性能和稳定性。此外，该MOSFET具有较高的栅极电荷（Qg）特性，使其适用于高频开关应用，从而减小了外部滤波器件的尺寸和成本。其SMD封装形式支持自动化的表面贴装工艺，适用于高密度和高可靠性电子系统。此外，该器件还具备良好的过温保护性能，能够在极端工作条件下维持稳定运行。
从制造工艺来看，2SK3769-01MR采用东芝专有的功率MOSFET技术，优化了载流子迁移路径，从而降低了导通损耗和开关损耗。同时，其封装设计具备优良的散热能力，有助于提高器件的长期运行可靠性。
2SK3769-01MR MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：1. 电源转换系统，如高效能DC-DC转换器、AC-DC电源适配器；2. 电池管理系统，例如在便携式设备和电动汽车中用于充放电控制；3. 电机控制电路，如无刷直流电机驱动器；4. 工业自动化设备中的功率开关模块；5. 高频逆变器和UPS系统。由于其具备高效率、低损耗和良好的热管理性能，该MOSFET特别适合用于高密度和高可靠性要求的应用场景。
Si7490DP-T1-GE3, IRF1405, FDS6680, AO4407A
