时间：2025/8/8 22:17:26
阅读：21
2SK3728-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用和电源管理领域。该器件采用先进的平面条形沟道结构，提供良好的热稳定性和电流处理能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：200A
导通电阻（Rds(on)）：约2.8mΩ（典型值）
功耗（Pd）：200W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SK3728-01MR MOSFET具有低导通电阻特性，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池充电器。
此外，该器件的热阻较低，能够在高负载条件下保持良好的热性能，从而提高系统可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的兼容性。
该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提高整体系统的功率密度。
2SK3728-01MR 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. DC-DC转换器：用于高效率电压调节系统，如通信设备和工业控制电源。
2. 电机控制器：用于电动汽车、电动工具和工业自动化设备中的高效电机驱动。
3. 电池管理系统：用于储能系统和可再生能源系统的高效充放电控制。
4. 电源供应器：用于服务器电源、UPS系统和高功率电源模块的设计。
2SK3728, 2SK3729, IRFP260N, FDP20N60
