2SK3697 时间：2025/8/9 16:06:49 阅读：30

2SK3697是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司生产。该器件专为高效率电源管理应用设计，适用于需要高耐压和大电流能力的电路。2SK3697采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，使其在高频应用中表现优异。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：150A（在Tc=25℃时）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-247
　　技术：沟槽式MOSFET技术

特性

2SK3697的核心特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，使电流在导通状态下能够更均匀地分布，从而降低热阻和提高热稳定性。此外，2SK3697具有高耐压能力，漏源电压（VDS）可达到30V，适用于多种电源转换应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制系统。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容常见的12V和15V栅极驱动电路。由于其快速开关特性，2SK3697在高频应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的TO-247封装设计有助于散热，提高长期运行的可靠性。
　　2SK3697还具有良好的热稳定性，在高电流和高温环境下仍能保持稳定的性能。其热阻（Rth）较低，有助于将热量快速传导至散热器，从而延长器件的使用寿命。此外，该MOSFET的内部结构优化，降低了寄生电感，提高了开关速度和抗干扰能力。

应用

2SK3697广泛应用于高功率密度和高效率要求的电源系统中，例如服务器电源、通信设备电源、电动车充电器、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源设计的理想选择。此外，2SK3697也常用于高频逆变器和UPS（不间断电源）系统中，以提高系统的整体效率和可靠性。