时间：2025/7/14 14:47:42
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2SK369-V是一款由东芝公司制造的N沟道JFET（结型场效应晶体管），常用于低噪声放大器、模拟开关以及高频信号处理等应用中。这款晶体管具有优异的线性度和极低的噪声系数，适合对性能要求较高的电子电路设计。2SK369-V采用塑料封装，引脚排列为TO-92形式，便于在各种PCB布局中安装。
类型：N沟道JFET
封装类型：TO-92
漏源电压（VDS）：最大30V
栅源电压（VGS）：最大±30V
工作温度范围：-55°C至+150°C
耗散功率（PD）：最大300mW
漏极电流（IDSS）：典型值1.0mA @ VDS=10V, VGS=0V
输入电容（Ciss）：典型值4pF
噪声系数（NF）：典型值0.5dB
2SK369-V的主要特性之一是其极低的噪声性能，这使得它特别适用于前置放大器和其他高灵敏度电路的设计。其噪声系数在1kHz至100kHz范围内保持较低水平，确保了信号的清晰度。
此外，该器件拥有良好的跨导特性（gm），提供高增益能力，非常适合需要高线性放大的场合。
JFET的输入阻抗非常高（通常在10^12Ω以上），这使得它能够在不显著影响信号源的情况下工作，从而提高整个电路的精度。
该晶体管还具有较好的频率响应特性，可以在数百兆赫兹的频率下保持稳定的工作性能，使其适用于射频（RF）应用。
由于采用了JFET结构，2SK369-V在无外部偏置条件下也能够正常导通，简化了电路设计并减少了外围元件的需求。
2SK369-V广泛应用于音频放大器、前置放大器、混音器和振荡器等模拟电路中。它的低噪声特性使其成为高保真音响设备的理想选择。
在通信系统中，该器件可用于射频信号的放大和处理，尤其是在接收端的前端放大器中，以提高信号的信噪比。
此外，2SK369-V还可用于传感器接口电路中，特别是在需要高输入阻抗的场合，如生物电信号采集系统。
该器件也常见于测试仪器和测量设备中，作为高精度信号处理的关键组件。
2SK117-Y, 2SK170-L
