2SK3686 时间：2025/12/28 9:49:10 阅读：13

2SK3686是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各类高效率功率转换系统中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及优良的开关特性，能够在高频率下稳定工作。2SK3686特别适用于需要高输入阻抗、快速响应和低驱动损耗的应用场景。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的热传导性能，适合在中等功率等级下进行散热管理。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。由于其优异的电气性能和稳定性，2SK3686被广泛用于工业控制设备、消费类电子产品电源模块及照明驱动电路中。该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造趋势。

参数

型号：2SK3686
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：500V
　　栅源电压VGS：±30V
　　连续漏极电流ID：7A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：28A
　　功耗PD：50W（Tc=25℃）
　　导通电阻RDS(on)：0.52Ω（max，VGS=10V，ID=3.5A）
　　阈值电压Vth：4.0V～6.0V
　　输入电容Ciss：950pF（typ，VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）
　　输出电容Coss：190pF（typ）
　　反向传输电容Crss：50pF（typ）
　　开启延迟时间td(on)：20ns
　　关断延迟时间td(off)：45ns
　　工作结温范围Tj：-55℃～+150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃～+150℃
　　封装类型：TO-220/TO-220F

特性

2SK3686具备出色的电气特性和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高耐压能力的结合。该MOSFET的最大漏源电压可达500V，使其适用于高压环境下的开关操作，例如在AC-DC转换器或离线式电源设计中作为主开关元件使用。其最大导通电阻仅为0.52Ω，在同类产品中表现出较低的导通损耗，有助于提升整体系统效率并减少发热问题。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC，这使得它在高频开关应用中能够显著降低驱动损耗，提高动态响应速度。
　　该器件还具备良好的热性能，得益于TO-220封装结构提供的高效散热路径，可以在较高环境温度下长时间运行而不会发生热失效。其最大功耗为50W（在壳温25℃条件下），结合适当的散热片可进一步扩展其功率处理能力。2SK3686的阈值电压范围为4.0V至6.0V，确保了在标准逻辑电平驱动下仍能可靠开启，同时避免因噪声干扰导致误触发。
　　在安全性和可靠性方面，2SK3686具备较强的抗雪崩能力，能够在突发电压冲击下维持正常功能，从而延长系统寿命。其内部寄生二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要体二极管参与换流的拓扑结构，如LLC谐振变换器或同步整流电路。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的防护能力，但仍建议在装配过程中采取必要的防静电措施以保障长期可靠性。总体而言，2SK3686是一款性能均衡、适用性强的中高压N沟道MOSFET，适用于多种工业和消费类电力电子系统。

应用

2SK3686广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合表现突出。其主要应用场景包括通用AC-DC适配器、台式电脑电源单元（PSU）、LED照明驱动电源以及工业级DC-DC转换模块。在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，2SK3686常被用作初级侧开关管，利用其500V耐压能力和低RDS(on)特性实现高效的能量转换。
　　在电机驱动领域，该器件可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供快速的开关响应和较小的导通压降，从而减少能耗并提升控制精度。此外，在不间断电源（UPS）、逆变器以及太阳能充电控制器等新能源相关设备中，2SK3686也常作为关键开关元件参与能量调节过程。
　　由于其良好的高温工作性能和稳定的电气参数，2SK3686也被广泛用于工业自动化控制系统中的电源管理模块，例如PLC（可编程逻辑控制器）的辅助电源部分。在家用电器方面，如空调、洗衣机和微波炉的电源控制电路中，该器件同样发挥着重要作用。凭借其成熟的设计和长期的市场验证，2SK3686已成为许多工程师在开发中高压功率电路时的优选方案之一。