时间：2025/8/9 13:57:50
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2SK3686-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电源管理和电机控制。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻和高速开关性能，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：最大5.3mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220AB
功率耗散（PD）：180W
2SK3686-01 MOSFET的核心优势在于其卓越的导通性能和高效的开关特性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具备高电流承载能力，适合用于高功率密度的设计。其TO-220AB封装提供了良好的散热性能，能够有效应对高功率运行时的热量积聚。该MOSFET还具备优异的热稳定性，确保在高负载条件下长时间稳定运行。此外，其快速开关能力降低了开关损耗，使该器件适用于高频开关电源等对效率要求较高的应用场景。
另一个关键特性是其栅极驱动兼容性，2SK3686-01可以在标准的10V栅极驱动电压下完全导通，同时支持更高的栅极电压以进一步降低RDS(on)，提升系统性能。这种设计使其能够广泛应用于各种现代电力电子系统中。
2SK3686-01 常用于高效率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源设备以及高功率LED驱动电路等场景。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效能和高可靠性的电源设计。
SiR178DP-T1-GE3, FDS6680, IRF1710, NTD120N10C, 2SK3710
