时间：2025/8/9 8:38:28
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2SK3684-01L是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和开关应用。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流处理能力和高可靠性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各类高效率电源设备。2SK3684-01L采用SOP（Small Outline Package）封装，具有较小的封装体积和良好的热性能，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（Vds）：30V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：最大30mΩ（当Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOP-8
2SK3684-01L具备优异的电气性能和热稳定性，其低导通电阻特性可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在高电流条件下仍能保持良好的稳定性和可靠性，适合高功率密度应用。此外，其SOP-8封装形式便于自动化贴片生产，节省PCB空间，同时具备良好的散热能力。
该MOSFET采用先进的沟槽式栅极结构技术，提高了开关速度和栅极稳定性，降低了开关损耗。此外，其内置的体二极管具有良好的反向恢复特性，适用于高频开关应用。2SK3684-01L还具备较强的抗过载和短路能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。
2SK3684-01L广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电器和放电管理系统。此外，该器件也常用于工业自动化设备、通信设备、服务器电源以及便携式电子产品中，作为高效率开关元件使用。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, AO4407A
