2SK3682 时间：2025/8/8 23:12:22 阅读：28

2SK3682是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好的热稳定性，适用于高效率、高密度的电源系统设计。2SK3682采用SOP（小外形封装）或类似的小型封装形式，具备较高的功率密度和良好的散热性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（最大）
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

2SK3682具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。该器件的漏源电压（Vds）为30V，适用于中低压电源开关应用，同时具备±20V的栅源电压容限，增强了抗过压能力。
　　其次，2SK3682采用了先进的沟槽式MOSFET结构，使其在保持小型封装的同时具备较高的电流处理能力。虽然其最大连续漏极电流为100mA，但在低功率开关和信号控制电路中表现优异。
　　此外，该器件的封装形式为SOP-8，适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产与组装。SOP封装也具备良好的散热性能，有助于维持器件在长时间工作下的稳定性和可靠性。
　　2SK3682的工作温度范围为-55°C至+150°C，满足工业级应用的温度要求，适用于各种严苛环境下的电子系统。其存储温度范围同样宽广，确保在不同存储和运输条件下的器件稳定性。
　　总的来说，2SK3682是一款性能稳定、可靠性高、适用于多种低功率开关和控制电路的MOSFET器件。