时间：2025/8/9 11:32:08
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2SK3678-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用和高效率功率转换。该器件采用先进的沟槽工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：110A（在Tc=25℃时）
最大功耗(Pd)：180W
导通电阻(Rds(on))：典型值为4.5mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220AB
2SK3678-01 MOSFET采用了东芝先进的沟槽式功率MOSFET技术，具备出色的导通性能和开关特性。其主要特点包括：
? 低导通电阻：在VGS=10V的条件下，RDS(ON)仅为4.5mΩ，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
? 高电流承载能力：额定连续漏极电流可达110A，适合高功率密度设计。
? 高速开关性能：由于其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），该器件在高频开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器和电机控制。
? 热稳定性好：TO-220AB封装具备良好的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。
? 宽工作温度范围：支持-55℃至+150℃的宽温度范围，适用于各种工业和汽车电子应用。
? 栅极保护：内置栅极氧化层保护设计，提高器件的可靠性和抗静电能力。
2SK3678-01广泛应用于以下领域：
? 电源管理模块：如同步整流器、负载开关、电源分配系统。
? DC-DC转换器：适用于高效率、高频开关的降压或升压电路。
? 电机控制：用于H桥驱动电路或直流电机的功率控制。
? 电池管理系统：在高电流充放电控制中发挥重要作用。
? 工业自动化设备：如PLC、伺服驱动器和工业电源模块。
? 汽车电子：适用于车载充电系统、电动助力转向系统等。
SiR178DP-T1-GE3, IRF1404, STD110N3LLH6, IPW90R120C3
