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2SK3677 发布时间 时间:2025/8/9 19:11:07 查看 阅读:30

2SK3677 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET晶体管,主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有较低的导通电阻和快速的开关性能,适用于如DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制等高频功率应用。2SK3677 采用SOP(Small Outline Package)封装,具备良好的热性能和电气性能,能够在较高频率下稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  脉冲漏极电流(Idm):48A
  导通电阻(Rds(on)):最大4.5mΩ(在Vgs=10V)
  功耗(Pd):40W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOP

特性

2SK3677 MOSFET具有多个显著的技术特性,使其适用于高性能电源系统设计。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体能效。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现快速的开关动作,减少开关损耗,适合高频工作环境。
  其次,2SK3677的漏极电流容量较大,连续漏极电流可达12A,脉冲漏极电流甚至可高达48A,适用于高负载需求的应用。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的栅极驱动灵活性,支持与多种驱动电路兼容。
  该器件采用SOP封装,具有良好的散热性能,能够在较高功率下维持稳定的温度运行。此外,2SK3677具有较高的耐用性和可靠性,适用于工业级和汽车电子应用。其工作温度范围覆盖-55°C至+150°C,满足极端环境下的稳定运行需求。
  最后,该MOSFET具备较高的抗雪崩击穿能力,增强了器件在瞬态高压情况下的稳定性,提高了系统安全性和寿命。

应用

2SK3677广泛应用于多种功率电子系统中。首先,在DC-DC转换器中,它作为主开关器件,能够高效地进行电压升降压操作,广泛用于电源适配器、电池充电器和便携式设备电源管理中。其次,在电机驱动和马达控制电路中,由于其高电流容量和快速开关特性,能够有效控制电机的启停和速度调节。
  此外,该器件也适用于同步整流电路、负载开关、LED驱动器和功率放大器等应用。在汽车电子领域,2SK3677可用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块等场景。由于其具备良好的热管理和高频响应能力,该MOSFET也常用于高效率的电源供应器和工业自动化控制系统中。

替代型号

Si9410BDY, IRF7413, AO4406, FDS6680

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