时间：2025/12/29 16:58:15
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2SK3676-01S是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用和电源管理领域。这款MOSFET专为高效能、低损耗操作而设计，适用于DC-DC转换器、电源供应器、电机控制和各类开关电路。该器件采用小型表面贴装封装（SOP），适合高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为30mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP8（表面贴装）
2SK3676-01S具有低导通电阻，使得在高电流应用中损耗最小化，从而提高整体效率。其低输入电容（Ciss）和快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和负载开关。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，在高功率密度设计中表现出色。采用SOP8封装，有助于节省PCB空间并简化自动化组装流程。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V至10V的VGS操作，允许使用标准逻辑电平进行驱动。此外，其具备较高的雪崩能量耐受能力，提升了在严苛环境下的可靠性。东芝在该器件的设计中采用了先进的工艺技术，确保了低漏电流和高稳定性，适合在工业级环境中长期运行。
2SK3676-01S广泛应用于各类电源管理系统，包括同步整流器、负载开关、电池供电设备、DC-DC转换器和电压调节模块。它也适用于电机驱动器、电源管理单元（PMU）以及需要高效能MOSFET的消费类电子产品。由于其高频特性和低导通损耗，它特别适合用于开关电源（SMPS）和便携式电子设备中的功率控制部分。
Si4410BDY-T1-E3, FDS4410AS, AO4410, IRF7413PbF
