2SK3673 时间：2025/8/9 19:19:35 阅读：32

2SK3673是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。这款MOSFET具有高性能的开关特性，适用于各种电子设备中的电源管理、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.058Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

2SK3673的主要特性包括其低导通电阻，这使得它在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　此外，该器件具有快速开关能力，可显著减少开关损耗，适用于高频操作环境。
　　该MOSFET的封装设计（TO-220AB）具有良好的热管理和机械稳定性，确保了在高功率工作状态下的可靠性和长寿命。
　　同时，其栅极驱动电压范围宽泛（通常为10V至20V），便于与各种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发性过电压情况下提供额外的保护。

应用

2SK3673广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　电源系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池管理系统；
　　工业自动化和电机控制，如伺服电机驱动器和变频器；
　　汽车电子系统，如电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的逆变器和充电系统；
　　消费类电子产品，如高性能电源适配器和LED照明驱动器；
　　以及各种高频功率放大器和高频感应加热设备。