时间：2025/8/2 6:09:52
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2SK3658是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件由东芝（Toshiba）制造，以其优异的导通特性和低开关损耗著称，适用于各种高效率的电子系统设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：10A
漏-源极击穿电压（VDS）：60V
栅-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
2SK3658 MOSFET采用先进的硅工艺制造，具有优良的导通特性和较低的导通损耗，这使得它在高频开关应用中表现尤为出色。该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。此外，其±20V的栅极电压耐受能力使其在复杂的驱动条件下具备更高的可靠性。
这款MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220封装形式不仅便于安装，而且有利于散热，从而延长了器件的使用寿命。2SK3658在过载和短路情况下具有较强的耐受能力，适合用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品中。
2SK3658主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种功率放大电路中。其高效的能量转换能力和良好的稳定性使其成为许多高性能电子设备的理想选择。
2SK3659, IRFZ44N, FQP10N60
