2SK3645 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,主要用于需要高效率和高可靠性的功率开关应用。这款MOSFET设计用于高频开关操作,具备低导通电阻和高耐压特性,适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和负载开关等场景。2SK3645 采用SOP(小外形封装)封装形式,便于在PCB上安装并实现良好的散热性能。
类型:N沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100mA(最大值)
功耗(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOP-8
2SK3645 以其低导通电阻(Rds(on))著称,能够在低电压条件下实现高效的功率转换。其低栅极电荷(Qg)使其适用于高频开关应用,从而减少了开关损耗,提高了系统效率。
此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在较高的温度环境下稳定运行,确保系统长时间工作的可靠性。
该MOSFET的SOP封装设计不仅节省空间,还支持表面贴装工艺(SMT),适用于自动化生产流程,降低了制造成本。
在电气特性方面,2SK3645 提供了优异的短路和过载保护能力,有助于提高整体系统的安全性和稳定性。
2SK3645 主要应用于便携式电子设备中的电源管理系统,例如智能手机、平板电脑、数码相机等设备中的DC-DC转换器和负载开关。此外,它也广泛用于LED驱动电路、小型电机控制电路、传感器控制电路以及各类低功耗电子产品的开关电路中。由于其高稳定性和小封装特点,也适用于需要高密度布局的工业控制系统和通信设备中的辅助电源模块。
2SK3645 可以考虑以下替代型号,如 2SK3018、2SK2996、Si2302DS、FDN304P 等,但具体替代应根据电路设计参数和工作环境进行验证。