2SK3611是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。该器件由东芝(Toshiba)制造,具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力的特点。2SK3611采用TO-220封装,便于散热和安装,适合需要高可靠性和高性能的电源转换应用。
类型:N沟道
最大漏源电压(VDS):250V
最大漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):0.45Ω
栅极电压(VGS):10V
最大功耗(PD):30W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
2SK3611具有多种优良特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其高漏源电压(250V)和大漏极电流(10A)能力使其适用于高功率开关电路。其次,低导通电阻(RDS(on)为0.45Ω)有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的栅极电压为10V,确保了稳定的导通状态和良好的开关性能。2SK3611的TO-220封装不仅便于安装,还提供了良好的散热性能,确保在高功率应用中的可靠性。
该MOSFET具有快速开关特性,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss)特性有助于减少开关损耗,提高电路响应速度。此外,2SK3611的热稳定性良好,能够在较高温度环境下稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。
安全性方面,2SK3611具备过载和短路保护能力,能够在异常工作条件下提供一定程度的保护,防止器件损坏。这种特性使其在电源管理和电机驱动应用中具有较高的可靠性。
2SK3611广泛应用于多种功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化设备。在开关电源中,该器件用于高效的功率转换,提供稳定的电压和电流输出。在DC-DC转换器中,2SK3611的高开关速度和低导通电阻特性有助于提高转换效率,减少能量损耗。此外,该MOSFET也常用于电池管理系统中的充放电控制,确保电池的安全运行。在电机驱动电路中,2SK3611能够承受较大的负载电流,提供稳定的驱动性能。
2SK2644, 2SK2225, 2SK1530