时间：2025/8/9 13:27:31
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2SK3608-01S 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，适用于高效率电源转换设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：最大150mΩ
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
引脚数：8
2SK3608-01S具有低导通电阻（Rds(on)）特性，这使得在高频开关应用中能够显著减少功率损耗，提高系统效率。
该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，优化了载流子的流动路径，从而降低了导通电阻并提升了开关性能。
其高栅极绝缘性能和宽泛的栅源电压范围（±20V）使其在复杂的电源环境中具备较高的可靠性和稳定性。
此外，2SK3608-01S采用SOP封装，具有较小的体积和较轻的重量，非常适合在高密度PCB布局中使用。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种极端工作环境，确保在高温条件下仍能稳定运行。
其高频特性使其在DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等高频应用中表现出色，能够有效提高系统的响应速度和稳定性。
由于其优异的电气性能和可靠的封装设计，2SK3608-01S广泛应用于电源管理、电池供电设备以及便携式电子产品中。
2SK3608-01S主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块以及便携式电子设备中的功率控制电路。其优异的性能使其在需要高效能和高稳定性的应用中表现出色。
Si9410BDY-T1-GE3, IRF7404, AO4406A
