类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：5A
　　导通电阻(Rds(on))：50mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-223

2SK3600-01L具有多项优良特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在10V栅极电压下仅为50mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备高耐压能力，最大漏源电压可达60V，确保在高电压环境下稳定运行。
　　此外，2SK3600-01L采用了先进的沟槽式工艺，提高了电流密度并降低了寄生电容，使其在高频开关应用中表现出色。该器件的最大连续漏极电流为5A，支持高功率密度的设计需求，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。
　　其SOT-223封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提高了生产效率。工作温度范围宽达-55°C至150°C，可在极端环境下稳定运行，适用于工业级和消费级应用。
　　最后，该MOSFET具备良好的抗静电能力，最大栅源电压为±20V，能够有效防止静电击穿，提升器件的耐用性和可靠性。

2SK3600-01L广泛应用于各类电子设备中的功率管理电路中。例如，在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关，用于升压或降压电路，提高转换效率。此外，它也适用于电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及各类电源适配器。
　　在工业控制领域，2SK3600-01L可用于PLC（可编程逻辑控制器）的电源模块、工业电源和自动化设备中的功率控制部分。在消费电子领域，该MOSFET可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块，提高设备的续航能力和稳定性。
　　由于其优异的高频开关性能，该器件也可用于无线充电器、LED驱动器和逆变器等应用中。在通信设备中，2SK3600-01L可用于基站电源模块、网络设备的DC-DC转换器等场合，确保设备长时间稳定运行。

Si2302DS, IRF7404, FDMS86101, FDS6680, 2SK3084