类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：2.0A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.0Ω（典型值）
　　功率耗散（Pd）：25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

2SK360-TL具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性。其N沟道增强型结构使其在零栅极电压下处于关闭状态，适用于逻辑控制的开关应用。该器件具有快速开关响应能力，适用于高频开关电路。此外，其TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在较高功率下的稳定运行。2SK360-TL还具有较强的抗过载能力，能够在一定范围的电流和温度波动下保持正常工作。由于其较高的可靠性和广泛的应用适应性，它常用于DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路等。
　　在实际应用中，2SK360-TL需要适当的栅极驱动电路以确保其完全导通或关断，从而降低功耗并提高效率。此外，为防止栅极电压过高造成损坏，通常建议在栅极和源极之间加装齐纳二极管进行保护。该器件的驱动电路设计应充分考虑其输入电容和开关速度，以避免因驱动不足而导致的发热问题。

2SK360-TL主要用于开关电源、电机控制、LED驱动器、逆变器、充电器、负载开关以及各种功率控制电路。它在消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子设备中均有广泛应用。例如，在电源管理模块中，该MOSFET可用于高效DC-DC降压或升压转换器；在电机控制电路中，可作为H桥的高侧或低侧开关元件；在LED照明系统中，则可用于调光控制和恒流驱动电路。

2SK1170, 2SK2545, IRF740, 2N6756