时间：2025/8/9 0:43:31
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2SK3596是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET晶体管，专为高效能电源应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。2SK3596采用先进的工艺制造，确保在高频开关条件下仍能保持稳定性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃时）
脉冲漏极电流（IDM）：480A
导通电阻（RDS(on)）：最大值2.7mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-247
极数：3（漏极、栅极、源极）
2SK3596具有多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET支持高电流承载能力，能够在大功率负载条件下稳定工作。此外，其高耐压能力（60V）使其适用于各种中高压电源系统。
2SK3596采用TO-247封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率密度应用中的可靠性。该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，可在瞬态过电压条件下提供额外的保护。
该MOSFET适用于高频开关操作，具有快速开关特性和低栅极电荷（Qg），从而降低开关损耗并提高系统响应速度。此外，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，便于与各种驱动电路配合使用。
由于其优异的性能和高可靠性，2SK3596广泛应用于工业电源、电动工具、电动车驱动系统、太阳能逆变器及高功率负载管理设备中。
2SK3596主要应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、马达控制、电池管理系统、逆变器、负载开关和电源管理模块。其高效率和高可靠性也使其适用于电动工具、电动车辆和工业自动化设备中的功率控制电路。
SiHF60N100E、IRF1404、IPW60R028C6、IXFH120N60P
