2SK3595 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高效率开关电路中。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术,具备低导通电阻、高耐压和高电流能力,能够在高频率下工作,适合用于高效率电源系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):15A(在Vgs = 10V时)
导通电阻(Rds(on)):最大30mΩ(在Vgs = 10V时)
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220AB、SOP等
2SK3595 具有以下显著特性:
1. **低导通电阻**:Rds(on) 最大仅为30mΩ,降低了导通损耗,提高了电源转换效率。
2. **高耐压性能**:漏源击穿电压高达60V,适用于中高压电源应用。
3. **高电流能力**:连续漏极电流可达15A,适合中高功率应用。
4. **快速开关特性**:具有较低的输入电容和输出电容,开关速度快,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
5. **热稳定性好**:采用先进封装技术,散热性能良好,在高功率下仍能保持稳定运行。
6. **可靠性高**:工作温度范围广,可在-55°C至+150°C环境下稳定工作,适合工业级应用需求。
7. **栅极驱动兼容性强**:±20V栅源电压耐受能力,可与多种驱动IC兼容使用。
2SK3595 广泛应用于以下领域:
1. **电源管理系统**:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关等。
2. **电机控制**:适用于无刷直流电机、伺服电机等控制电路中的功率开关。
3. **电池供电设备**:用于笔记本电脑、电动工具、便携式充电设备等需要高效率开关的场合。
4. **工业控制**:如PLC、变频器、工业自动化设备中的功率开关模块。
5. **LED照明驱动**:用于高亮度LED驱动电路中的开关元件。
6. **新能源系统**:如太阳能逆变器、储能系统中的功率转换电路。
Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDP6670, AO4407