2SK3590 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于电源管理和功率放大电路中。这款MOSFET具备较高的电流和电压处理能力,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合,如开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):150A(最大值)
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约2.5mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
功率耗散(PD):200W
2SK3590 具备优异的导通性能和低导通电阻,能够在高电流条件下保持较低的功耗,从而提高整体系统的效率。
该MOSFET采用先进的制造工艺,确保了在高温和高电流条件下的稳定性和可靠性。
其高耐压能力(60V VDS)使其适用于多种电源转换和电机控制应用,特别是在需要频繁开关操作的场合。
此外,2SK3590 还具有良好的热稳定性,能够承受瞬时过载和高温工作环境,适合工业级和汽车电子系统中使用。
由于其低栅极电荷(Qg)特性,该器件在高频开关应用中表现出色,有助于减少开关损耗并提高响应速度。
TO-247封装设计提供了良好的散热性能,确保在大电流运行时的稳定性。
2SK3590 常用于高性能电源系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池管理系统中,以实现高效的能量转换。
在电机控制和负载开关应用中,该MOSFET能够承受较大的电流冲击并提供快速的响应时间,适用于工业自动化和电动工具控制。
此外,它也被广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载逆变器等,满足汽车环境下的高可靠性要求。
由于其出色的高频特性,2SK3590 也适用于音频功率放大器、逆变器和UPS(不间断电源)系统中,以实现高效、稳定的输出性能。
2SK3590的替代型号包括:2SK3591、2SK3592、2SK3593