时间：2025/8/9 15:07:56
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2SK3588-01S 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高效率的特性，适用于DC-DC转换器、电源管理和电池供电设备等场合。2SK3588-01S采用SOT-23封装，具有较小的体积和良好的热稳定性，适合在紧凑型电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：100mA
导通电阻(Rds(on))：5.5Ω @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
2SK3588-01S MOSFET具备多项优异特性，使其在各种低功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在4.5V栅极电压下仅为5.5Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，有助于提高系统的整体效率。其次，该器件的漏源电压为20V，栅源电压为±12V，能够在较高的电压条件下稳定工作，适用于多种低压电源管理系统。此外，2SK3588-01S的最大连续漏极电流为100mA，适合用于小型电子设备的开关控制。该器件的封装形式为SOT-23，具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合在空间受限的应用中使用。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，表明其在极端温度条件下仍能保持稳定的性能。这些特性使得2SK3588-01S在低功耗、高频开关应用中表现出色，是一款可靠性高、性能优异的MOSFET器件。
另外，该MOSFET具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在高频开关条件下保持较低的开关损耗。这使得其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源管理模块。由于其SOT-23封装的通用性，该器件也易于在PCB上布局和焊接，降低了设计和生产的复杂性。
2SK3588-01S MOSFET广泛应用于各种低功耗电子设备中，尤其是在需要高效能和小尺寸设计的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块、电池供电设备以及便携式电子产品。此外，该器件也可用于信号开关和逻辑电路中的控制元件，适用于需要高频开关性能的场合。
2SK2906-01S, 2SK3018-01S
