时间：2025/8/9 11:11:39
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2SK3587是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频功率放大、开关电源、DC-DC转换器以及音频放大器等应用领域。该器件采用高导电性材料制造，具有低导通电阻、高耐压、高电流容量等优点，适用于需要高效率和高性能的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
2SK3587具有多项优异的电气特性和物理特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其最大漏源电压为60V，可以支持较高电压的电路设计。同时，最大漏极电流可达15A，具备较高的电流承载能力，适合高功率应用场景。该器件的导通电阻仅为30mΩ（典型值），显著降低了导通损耗，提高了能效。此外，2SK3587的栅源电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力，提高了使用的稳定性。
在物理封装方面，2SK3587采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其工作温度范围为-55℃至+150℃，可在恶劣环境中稳定工作，适用于工业控制、电源转换、汽车电子等多个领域。2SK3587还具有较快的开关速度，使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高系统效率。综上所述，2SK3587是一款性能优异的MOSFET器件，广泛适用于各类高功率、高频电子系统。
2SK3587主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、音频放大器、逆变器、高频功率放大器以及各类工业自动化控制系统。其高电流容量和低导通电阻使其在电源管理和功率转换领域尤为突出。
2SK2545, 2SK1507, IRFZ44N
