时间：2025/8/9 11:04:57
阅读：32
2SK3581-01S 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换设备。该器件设计用于高频率开关应用，具备低导通电阻和高耐压特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块及负载开关等电路中。2SK3581-01S采用SOP（小外形封装）封装形式，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：4A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（最大值）
功耗（Pd）：1.25W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
2SK3581-01S具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高栅极电压容限（±20V）增强了在高噪声环境下工作的稳定性，降低了栅极击穿的风险。
此外，该MOSFET采用SOP-8封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合在空间受限的电路板设计中使用。其高耐压特性（Vds=30V）使其适用于多种低压功率转换应用，如笔记本电脑适配器、LED驱动器和电池管理系统。
2SK3581-01S的快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。该器件还具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能稳定，提高了系统的可靠性和寿命。
2SK3581-01S广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。其主要应用包括DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动电路、电池充电器、负载开关以及电源管理系统。在便携式电子设备中，该MOSFET常用于高效能、小尺寸的电源模块中，以提高整体系统效率。
此外，该器件也适用于电机驱动、传感器电源管理、工业自动化设备以及智能家电等应用场景。由于其具备较高的可靠性和稳定的性能，因此也适用于对稳定性要求较高的汽车电子系统和工业控制设备中。
Si2302DS、2N7002K、FDN340P、IRLML2402
