2SK3577 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛用于高功率开关应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于电源转换器、电机控制、DC-DC转换器以及各种功率管理设备。
类型:N沟道
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大漏极电流(ID):120A
导通电阻(RDS(on)):约2.7mΩ(典型值,VGS=10V)
功耗(PD):200W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-247
2SK3577 具备多项优良特性,包括低导通电阻(RDS(on)),能够显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其高耐压能力(60V VDS)使其适用于中高功率电源系统。该MOSFET的封装形式为TO-247,具备良好的散热性能,适用于需要高电流和高功率的应用场景。此外,其栅极驱动电压范围宽,可在+10V至+20V之间工作,便于与多种驱动电路兼容。
该器件还具备较高的短路耐受能力,确保在异常工作条件下的稳定性与安全性。其设计支持快速开关操作,适用于高频开关电源系统,减少开关损耗并提高响应速度。此外,2SK3577 在高温环境下仍能保持稳定性能,适用于各种工业和汽车电子应用。
2SK3577 常用于高功率DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、不间断电源(UPS)、工业电源设备、太阳能逆变器以及各种高电流负载控制电路中。其低导通电阻和高电流能力使其在高性能电源管理系统中具有显著优势。
SiHF60N100E、IRF1404、IXTA100N10P、STP120NF7F7