时间：2025/8/9 11:05:09
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2SK3528-01R 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，常用于电源管理和DC-DC转换器等应用。该器件采用小型表面贴装封装，适用于需要高效率和紧凑布局的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：约2.3mΩ（典型值，具体取决于VGS）
封装类型：SOP（表面贴装封装）
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散：100W（最大值）
2SK3528-01R MOSFET具有低导通电阻，可有效降低功率损耗，提高系统效率。其快速开关特性使其适用于高频电源转换应用。该器件采用高可靠性的封装技术，具有良好的热性能和机械稳定性。此外，该MOSFET具备高耐压能力和良好的抗瞬态电压能力，适用于各种电源管理场合。其表面贴装封装有利于自动化生产和紧凑型设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间正常工作，适应多种驱动电路设计需求。此外，2SK3528-01R具有低输入电容和反向传输电容，有助于降低开关损耗并提高系统的响应速度。其漏极-源极之间具有较高的击穿电压稳定性，可在恶劣的电气环境下保持可靠运行。
在热管理方面，2SK3528-01R设计有较大的散热焊盘，可通过PCB布线进行有效散热。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品制造要求。该MOSFET还具备良好的短时过载能力，可在瞬态条件下提供稳定的性能。
2SK3528-01R 主要用于以下应用领域：电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及服务器和通信设备的电源模块。由于其低导通电阻和快速开关特性，它特别适合用于需要高效率和紧凑布局的电源系统。
2SK3528-01R的替代型号包括Si7461DP-T1-GE和FDS6680，这些型号具有类似的电气特性和封装形式。
