2SK3528-01 时间：2025/8/9 16:16:28 阅读：14

2SK3528-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及功率放大器等电子设备中。该MOSFET具有优异的导通特性和快速的开关性能，适合在高效率和小型化设计中使用。其采用小型封装，能够在紧凑的PCB布局中实现高性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

2SK3528-01 MOSFET具有低导通电阻和高电流处理能力，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关应用，从而减小外部电感和电容的尺寸，有助于实现设备的小型化。
　　其封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，能够在高功率密度环境下可靠运行。此外，2SK3528-01具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
　　该MOSFET还具有较低的输入电容和反向传输电容，使得其在高速开关应用中表现优异，同时减少了栅极驱动电路的负担。

应用

2SK3528-01 主要用于各种功率电子设备中，例如同步整流器、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统以及汽车电子系统等。由于其高性能和紧凑的封装，它特别适用于需要高效能和小体积设计的便携式电子产品和电动汽车控制系统。
　　在开关电源中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的能量转换；在电机控制应用中，它可用于PWM控制，提供精确的转速和扭矩调节。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、UPS系统和工业自动化设备等高可靠性应用场景。