类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（最大，在Vgs=10V）
　　最大功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-220AB

2SK3526-01L MOSFET具有多个显著的技术特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中更低的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件的高频特性使其适用于高频率开关操作，从而减小外部元件的尺寸并提升系统性能。此外，该MOSFET采用TO-220AB封装，具有良好的散热能力，能够在较高功率条件下稳定工作。器件的栅极设计使其能够在宽范围的栅极驱动电压下正常工作，增强了与不同驱动电路的兼容性。同时，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过载能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
　　在封装方面，TO-220AB是一种常见的功率封装形式，便于安装在散热片上，提高散热效率。此外，该器件的内部结构优化设计减少了开关损耗，使其在高频工作时仍能保持较低的温度上升，从而提高系统的稳定性和寿命。

2SK3526-01L MOSFET主要应用于各类功率电子设备中。它常用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，能够高效地进行高频率开关操作，提升整体转换效率。此外，它也被广泛用于DC-DC转换器，特别是在大电流输出的应用中，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源模块和工业控制电源系统。该器件的高电流能力和低导通电阻也使其适用于电机驱动和负载开关电路，例如在电动工具、电动车控制器以及自动化设备中。由于其高可靠性和良好的热性能，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和车身控制模块。

2SK3527-01L, 2SK3528-01L, IRF1404, Si4410BDY