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2SK3520-01MR 发布时间 时间:2025/8/9 18:56:09 查看 阅读:17

2SK3520-01MR 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该MOSFET具有低导通电阻(RDS(ON))、高耐压和高电流承载能力,适合用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他高功率电子设备中。其封装形式为SOP(小外形封装),适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和空间紧凑的设计需求。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大漏极电流(ID):60A(连续)
  导通电阻(RDS(ON)):最大14.5mΩ(典型值11.5mΩ)
  栅极电压(VGS):±20V
  最大功耗(PD):150W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOP(表面贴装)

特性

2SK3520-01MR MOSFET 具备多项优异特性,适用于高性能电源管理应用。首先,其低导通电阻(RDS(ON))可显著降低开关损耗和导通损耗,提高整体系统效率。在高电流应用中,例如DC-DC转换器和同步整流器,该特性尤为重要。
  其次,该器件具有较高的漏源击穿电压(100V),能够承受瞬态电压波动,适用于中高压功率系统。其高电流承载能力(最大60A连续漏极电流)也使其适用于大功率负载的控制,如电动工具、电机驱动器和电池管理系统。
  该MOSFET采用先进的沟槽式结构设计,增强了导通性能和热稳定性,同时具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性。此外,其±20V的栅极电压耐受能力提供了更宽的栅极驱动范围,增强了设计的灵活性。
  封装方面,2SK3520-01MR 采用SOP封装,具有良好的散热性能,适用于表面贴装技术,便于在高密度PCB设计中使用,并且符合RoHS环保标准。

应用

2SK3520-01MR MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. **电源管理**:用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关等高效电源系统。
  2. **电机控制**:适用于直流电机、步进电机等功率驱动电路。
  3. **电池管理系统**:用于高功率电池充放电控制和保护电路。
  4. **工业自动化**:作为功率开关用于PLC、继电器替代和自动化控制系统。
  5. **电动车和电动工具**:用于电机驱动和电源管理模块。

替代型号

SiHF60N100E、IRFZ44N、FDP60N10、IPD60N10S4-03

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