2SK3517-01 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、电源管理和电池供电设备等应用。该器件采用小型表面贴装封装,便于在高密度电路板上使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):20V
最大连续漏极电流(ID):100mA
导通电阻(RDS(ON)):8.5Ω @ VGS = 10V
功率耗散:200mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-323(SC-70)
2SK3517-01 MOSFET具备多项优良特性,使其适用于高频和低功耗应用。其低导通电阻(RDS(ON))确保在导通状态下损耗最小,提高整体效率。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现快速开关操作,从而减少开关损耗。
该MOSFET采用SOT-323封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性。其最大工作温度可达+150°C,适用于严苛环境条件下的应用。
此外,2SK3517-01具有较高的输入阻抗,减少了对驱动电路的负载,同时具备良好的抗干扰能力。其栅极保护采用集成齐纳二极管设计,可防止过高的栅源电压造成损坏,提高了器件的可靠性和使用寿命。
2SK3517-01 MOSFET广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效、低功耗和高频开关的场合。常见应用包括DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、便携式设备电源管理以及电池供电系统。其小尺寸封装也使其成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品中的理想选择。
此外,该器件还可用于信号切换、逻辑电路控制以及各种低电流开关应用。由于其良好的热性能和可靠性,2SK3517-01也适用于工业控制、传感器接口电路和低功耗物联网(IoT)设备。
2SK2313, 2SK3018, 2N3904