2SK3515-01MR 时间：2025/8/9 16:51:31 阅读：31

2SK3515-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用而设计。该器件适用于电源转换、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及各种需要高效能功率开关的场合。其封装形式为SOT-23，具有较小的封装体积，适用于高密度电路设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：100mA
　　漏源击穿电压（VDS）：150V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为12Ω
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

2SK3515-01MR MOSFET具备优异的高频特性，适合用于高频开关电路。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，提高了在不同应用环境下的灵活性。
　　由于其SOT-23的小型封装，2SK3515-01MR非常适用于空间受限的设计，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该MOSFET在关断状态下具有极低的漏电流，有助于减少静态功耗并提高系统稳定性。
　　此外，2SK3515-01MR的结构设计优化了开关损耗，使其在高频工作条件下依然保持高效能。这使得它成为许多便携式电子设备、LED驱动电路、电池管理系统（BMS）以及其他低功耗功率控制应用的理想选择。

应用

2SK3515-01MR MOSFET广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效、小型化功率控制的场合。其主要应用包括但不限于：DC-DC转换器、升压/降压稳压器、开关电源（SMPS）、LED照明驱动电路、电池管理系统（BMS）、低功耗逆变器、电机驱动器以及高频信号开关等。
　　此外，该器件也适用于各类便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、无线充电器以及各种传感器模块。由于其高频特性，它在RFID读写器、无线通信模块以及小型无线电源系统中也具有良好的应用表现。