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2SK3505-01MR 发布时间 时间:2025/8/9 20:05:51 查看 阅读:33

2SK3505-01MR是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频开关应用。该MOSFET设计用于高效率、低导通电阻和快速开关速度,适合用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流(ID):150A(在Tc=25℃时)
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大4.5mΩ(在VGS=10V时)
  功率耗散(PD):300W
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-247AD

特性

2SK3505-01MR具有非常低的导通电阻,确保在高电流应用中最小的功率损耗,提高了系统的整体效率。其快速开关特性使其适用于高频开关应用,有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。此外,该器件采用TO-247AD封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于工业级环境。器件的栅极驱动电压范围宽,支持标准10V驱动电路,同时也能承受高达20V的栅极电压而不发生损坏,提高了使用的灵活性和可靠性。
  该MOSFET在设计上优化了雪崩能量耐受能力,提高了器件在高压瞬态条件下的稳定性。此外,它还具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流而不损坏,适用于高可靠性要求的应用场景。这些特性共同确保了2SK3505-01MR在高负载、高频和高效率要求的应用中表现出色。

应用

该器件广泛应用于各种高功率电子设备中,如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及不间断电源(UPS)系统。此外,它也可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及高功率LED照明驱动电路。

替代型号

SiHF60N60E、IRF1405、FDMS7680、TKA150N60X、IPB075N60N3G

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