时间：2025/8/9 20:05:51
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2SK3505-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用。该MOSFET设计用于高效率、低导通电阻和快速开关速度，适合用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A（在Tc=25℃时）
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-247AD
2SK3505-01MR具有非常低的导通电阻，确保在高电流应用中最小的功率损耗，提高了系统的整体效率。其快速开关特性使其适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。此外，该器件采用TO-247AD封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于工业级环境。器件的栅极驱动电压范围宽，支持标准10V驱动电路，同时也能承受高达20V的栅极电压而不发生损坏，提高了使用的灵活性和可靠性。
该MOSFET在设计上优化了雪崩能量耐受能力，提高了器件在高压瞬态条件下的稳定性。此外，它还具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流而不损坏，适用于高可靠性要求的应用场景。这些特性共同确保了2SK3505-01MR在高负载、高频和高效率要求的应用中表现出色。
该器件广泛应用于各种高功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及不间断电源（UPS）系统。此外，它也可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及高功率LED照明驱动电路。
SiHF60N60E、IRF1405、FDMS7680、TKA150N60X、IPB075N60N3G
