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2SK3504 发布时间 时间:2025/8/9 12:44:36 查看 阅读:33

2SK3504是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率放大器、开关电源以及高频电子电路中。这款晶体管由东芝(Toshiba)公司制造,具有较高的耐压能力和较大的漏极电流承受能力,适合用于需要高效能和高可靠性的电子系统。2SK3504的封装形式通常为TO-220或类似的大功率封装,有助于散热并保持稳定的工作性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):400V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):约0.45Ω
  功率耗散(Pd):80W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

2SK3504具有多项优良的电气特性,使其在多种电子应用中表现出色。首先,其高漏源电压(Vds)为400V,使得该器件适用于高电压操作环境,如开关电源和逆变器设计。其次,该MOSFET的栅源电压(Vgs)为±30V,具有较强的栅极耐压能力,有助于防止因电压波动而导致的损坏。
  此外,2SK3504的最大漏极电流为10A,能够支持较大的负载电流,适用于需要高输出功率的电路设计。其导通电阻Rds(on)约为0.45Ω,在同类产品中表现良好,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  在散热方面,该器件采用TO-220封装形式,具备良好的热传导性能,能够在较高功率下保持稳定运行。其最大功率耗散为80W,适合中高功率应用场景。同时,2SK3504的工作温度范围为-55°C至+150°C,具备较强的环境适应性,能够在极端温度条件下正常工作。
  由于其高可靠性和良好的电气性能,2SK3504被广泛用于音频功率放大器、开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路等应用中。

应用

2SK3504常用于需要高电压和中等电流能力的电子设备中。例如,在音频放大器设计中,它可作为输出级晶体管,提供高保真音频信号放大。在开关电源(SMPS)中,该MOSFET可作为主开关器件,用于实现高效能的电能转换。此外,它还被广泛应用于逆变器、DC-DC转换器和电机驱动电路中,提供稳定的开关和功率控制功能。由于其良好的高频响应特性,2SK3504也适用于高频振荡器和射频功率放大器等应用。

替代型号

2SK2648, 2SK1530, IRF840, IRF740

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