型号：2SK3487
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　漏源导通电阻(Rds(on))：典型值7.0Ω（最大值9.0Ω）@ Vgs=10V
　　连续漏极电流(Id)：0.6A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：2.4A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　功耗(Pd)：1.5W（Tc=25°C）
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　阈值电压(Vth)：典型值3.0V（范围2.0~4.0V）
　　输入电容(Ciss)：典型值35pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　输出电容(Coss)：典型值10pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　反向传输电容(Crss)：典型值1.0pF @ Vds=25V, f=1MHz
　　开启延迟时间(Td(on))：典型值15ns
　　关断延迟时间(Td(off))：典型值35ns
　　上升时间(Tr)：典型值20ns
　　下降时间(Tf)：典型值15ns
　　封装类型：SOT-223

2SK3487的核心优势之一是其优化的Rds(on)与电压等级之间的平衡。尽管其最大漏源电压高达500V，但在Vgs=10V时，Rds(on)仍可保持在9.0Ω以下，这使得它在同类高压MOSFET中具备较强的竞争力。这种低导通电阻显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其是在持续负载应用中，有助于提升系统整体效率并减少发热。此外，该器件采用了东芝专有的沟槽结构和平面栅极技术结合的设计，增强了载流子迁移率并改善了电场分布，从而提升了器件的耐用性和抗雪崩能力。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。2SK3487具有较低的栅极电荷（Qg），通常在10V驱动下仅为15nC左右，这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于降低驱动IC的负担，并实现更高的开关频率。这对于现代高效开关电源尤为重要，因为高频操作可以减小磁性元件（如电感和变压器）的体积，进而缩小整个电源模块的尺寸。同时，快速的开关响应时间（包括开启延迟、上升时间和关断延迟等参数）确保了精确的时间控制，减少了交叉导通风险，提高了电源系统的动态响应能力。
　　热性能方面，SOT-223封装内置金属片连接到漏极，可通过PCB上的大面积铜箔进行有效散热，使器件即使在较高环境温度下也能维持安全的工作结温。这种封装方式不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，非常适合批量制造。此外，2SK3487具备良好的抗静电能力和坚固的栅氧化层设计，能够在复杂电磁环境中可靠运行，避免因瞬态干扰导致损坏。这些综合特性使其成为中小功率电源设计中的理想选择。

2SK3487主要应用于各类中小功率开关电源系统中，尤其常见于离线式反激变换器（Flyback Converter）结构中作为主开关管使用。这类电源广泛存在于手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器辅助电源等领域。由于其500V的耐压能力足以覆盖全球交流电网电压范围（包括峰值电压），因此无需额外的降额即可直接用于通用输入电压（85V~265V AC）的应用场合。在LED照明驱动电源中，2SK3487可用于恒流控制拓扑中的功率开关部分，实现高效的能量转换与稳定的光输出。
　　此外，该器件也适用于隔离型DC-DC转换器、待机电源（Standby Power Supply）以及小型逆变器等场景。在工业控制领域，2SK3487可用于继电器驱动、电磁阀控制或小型电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和低功耗切换功能。由于其具备一定的抗浪涌能力，也可在存在瞬态高压冲击的环境中稳定工作，例如在智能电表、网络通信设备电源模块中发挥重要作用。
　　考虑到其SOT-223封装的小尺寸和良好的热传导特性，2SK3487特别适合高度集成化的电路设计，尤其是对PCB布局紧凑性有严格要求的产品。在便携式设备电源管理单元中，它可以作为次级侧同步整流管使用，替代传统肖特基二极管以进一步提升效率。总之，凡是需要一个兼具高耐压、适度电流承载能力和高效率开关性能的N沟道MOSFET的应用，2SK3487都是一个值得考虑的技术选项。

2SK3486, 2SK3488, FJP5026, MJE13005