型号：2SK3485
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V, Id=2.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.2A
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：20ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +155°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +155°C
　　封装类型：SOT-23

2SK3485采用东芝先进的沟槽结构硅栅极技术，使其在同类N沟道MOSFET中表现出卓越的导通特性和开关性能。其低导通电阻Rds(on)确保了在大电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率并减少散热需求。例如，在Vgs=10V时，Rds(on)仅为23mΩ，这使得它非常适合用于电池供电设备中需要长时间运行且功耗敏感的应用场景。
　　该器件具有快速的开关响应能力，开启延迟时间仅8ns，关断延迟时间为20ns，能够在高频开关电路中有效降低动态损耗，提升电源转换效率。这对于现代DC-DC变换器、同步整流电路以及脉宽调制（PWM）控制系统尤为重要。同时，较低的输入、输出和反馈电容（Ciss、Coss、Crss）减少了栅极驱动所需能量，降低了驱动电路的设计复杂度，并有助于抑制不必要的振荡现象。
　　2SK3485具备良好的热稳定性和过载承受能力。其最大结温可达+155°C，允许在高温环境下长期稳定工作。此外，器件内部结构经过优化设计，具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供更高的安全裕度，增强系统的鲁棒性。
　　由于采用SOT-23小型表面贴装封装，2SK3485不仅节省PCB布局空间，还便于自动化贴片生产，提升了产品的一致性和可制造性。该封装具有较低的热阻，有利于热量从芯片传导至PCB，进一步改善散热效果。结合其符合RoHS指令的环保特性，2SK3485适用于追求小型化、高集成度和绿色环保的现代电子产品设计，如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备和无线传感器网络等。

2SK3485广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其适合作为电源开关、负载开关或同步整流元件使用。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电池管理电路，用于控制电池对主系统的供电通断，防止反向电流流动，并实现节能待机模式。
　　在DC-DC降压或升压转换器中，2SK3485常被用作同步整流开关管，替代传统的肖特基二极管以降低导通压降和能量损耗，显著提升转换效率，特别是在轻载和中等负载条件下表现更为突出。这种应用常见于手机充电模块、USB供电接口、笔记本电脑电源板等对能效要求较高的场合。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，作为H桥或半桥拓扑中的低端开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。其快速的开关速度和低导通电阻有助于减少电机驱动过程中的发热问题，延长设备使用寿命。
　　在LED驱动电路中，2SK3485可用于恒流调节或PWM调光控制，通过精确控制电流路径实现亮度调节功能。同时，其高可靠性也使其适用于工业控制领域的信号开关、继电器替代方案以及各类嵌入式控制器的I/O扩展电路中。
　　由于其SOT-23封装体积小、重量轻，2SK3485特别适合空间受限的高密度PCB设计，如穿戴式设备、物联网终端节点、智能家居传感器等新兴领域。其稳定的电气性能和宽泛的工作温度范围也支持其在恶劣环境下的可靠运行，是中小型功率开关应用的理想选择之一。

2SK3486, 2SK3487, FDS6680A, SI2302DS, AO3400, BSS138