时间：2025/9/20 18:39:02
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2SK3485-TD-E是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽型技术制造，具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等优点，适合在DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及其他需要高效能功率管理的系统中使用。其封装形式为小型表面贴装型（如SOP或类似封装），有助于节省PCB空间并提升系统集成度，尤其适用于对体积敏感且要求高性能的现代电子设备。此外，该MOSFET设计上考虑了雪崩耐受能力和抗瞬态电压能力，提高了在严苛工作环境下的可靠性。
作为一款专为高频开关优化的器件，2SK3485-TD-E能够在较低的栅极驱动电压下实现充分导通，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，便于与微控制器或PWM控制器直接接口。器件还具备较低的输入和输出电容，有助于减少开关损耗，从而提高整体能效。由于其出色的电气特性和封装性能，该型号广泛应用于通信设备、便携式电子产品、工业控制系统以及汽车电子等领域中的电源模块设计中。
型号：2SK3485-TD-E
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大漏极电流（Id）：4 A
导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.07 Ω @ Vgs = 10 V
导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.09 Ω @ Vgs = 8 V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
最大功耗（Ptot）：1 W
工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
输入电容（Ciss）：约 450 pF @ Vds = 25 V
输出电容（Coss）：约 100 pF @ Vds = 25 V
反向恢复时间（trr）：典型值 25 ns
封装类型：SOP Advance 或类似小型表面贴装封装
2SK3485-TD-E采用东芝先进的沟槽结构硅工艺技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而在大电流条件下有效减少功率损耗，提升系统效率。其典型的Rds(on)值在Vgs=10V时低于70mΩ，即使在较高负载下也能保持较低温升，有利于实现紧凑型散热设计。该器件具有优异的开关特性，包括快速的开启和关断响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使其特别适用于高频DC-DC变换器应用，例如同步整流电路中作为下管或上管使用。
该MOSFET具备良好的热稳定性和长期可靠性，在整个工作温度范围内（-55°C至+150°C）仍能维持稳定的电气性能。内部结构经过优化，增强了抗雪崩击穿的能力，可在突发过压或感性负载切换时提供一定程度的自我保护。此外，该器件对dv/dt噪声具有较强的抑制能力，减少了误触发的风险，提升了系统运行的安全性与稳定性。
2SK3485-TD-E的栅极驱动电压范围宽泛，通常在4.5V到10V之间即可实现完全导通，支持与常见的PWM控制器和逻辑IC直接匹配，无需额外的电平转换电路。其小型化表面贴装封装不仅节省PCB面积，而且具备良好的机械强度和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。同时，该封装设计有助于改善热传导路径，通过PCB铜箔进行有效散热，进一步增强功率处理能力。综合来看，这款MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是中等功率开关应用的理想选择之一。
2SK3485-TD-E主要应用于各类需要高效、高频开关操作的电源管理系统中。典型用途包括隔离式和非隔离式DC-DC转换器，如降压（Buck）、升压（Boost）以及SEPIC或Flyback拓扑结构中的主开关或同步整流元件。由于其低导通电阻和快速开关特性，该器件特别适合用于便携式设备的电池供电电源模块，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的辅助电源轨调节。
在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC电源单元、传感器供电电路以及小功率电机驱动中的H桥或半桥配置，实现精确的功率控制和节能运行。在通信基础设施设备中，如路由器、交换机和基站电源板，2SK3485-TD-E可用于中间总线转换器或负载点（POL）稳压器，提供稳定的低压大电流输出。
此外，该器件也适用于消费类电子产品中的LED驱动电源、USB充电端口的限流开关以及热插拔保护电路。在汽车电子方面，尽管并非AEC-Q101认证器件，但仍可应用于车载信息娱乐系统的内部DC-DC电源部分或车身控制模块的小功率电源转换环节。总体而言，凡是需要小型化、高效率和高可靠性的N沟道MOSFET应用场景，2SK3485-TD-E均是一个值得考虑的技术选项。
2SK3486-TD-E
2SK3487-TD-E
SI2302DS
AO3400
