2SK3476 时间：2025/5/8 18:45:57 阅读：2

2SK3476 是一种高性能的 N 沱金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS FET），主要用于射频和音频放大器等应用。该器件具有高增益、低噪声和出色的线性度，适合高频和高功率场景。
　　这种晶体管广泛应用于广播发射机、通信设备以及专业音频设备等领域，是许多高端射频电路设计的理想选择。

参数

类型：NMOS FET
　　最大耗散功率：150W
　　漏源击穿电压：100V
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　漏极电流（连续）：10A
　　跨导：10S
　　工作温度范围：-55℃~+150℃
　　封装形式：TO-3P

特性

2SK3476 的主要特点是其卓越的高频性能和低噪声系数。它能够提供高达 300MHz 的频率响应，并且在音频范围内表现出色的线性度。
　　此外，该晶体管具有较高的漏源击穿电压，可确保在高压条件下稳定运行。
　　它的栅极输入阻抗较高，这有助于减少驱动电路的负载效应，同时提高了整体效率。
　　由于采用了先进的制造工艺，2SK3476 还具备较低的热阻，从而增强了散热能力，延长了使用寿命。

应用

2SK3476 主要用于以下领域：
　　1. 高频射频放大器
　　2. 广播级音频放大器
　　3. 通信设备中的功率放大模块
　　4. 专业音响系统的功率输出级
　　5. 实验室测试设备中的信号增强单元
　　6. 工业控制及自动化系统中的开关电源设计
　　总之，任何需要高增益、低噪声和大功率处理能力的场景都可以考虑使用此晶体管。