2SK3475 时间：2025/4/30 15:51:33 阅读：40

2SK3475是一种N沟道MOSFET功率晶体管，主要应用于高频、高效率的功率转换领域。该器件采用垂直DMOS结构设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于开关电源、逆变器以及音频功率放大器等场景。
　　2SK3475以其出色的高频性能和稳定性著称，在需要高效功率处理的应用中表现优异。其封装形式通常为TO-247或TO-220，便于散热管理。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压Vds：150V
　　最大栅源电压Vgs：±20V
　　漏极电流Id（典型值）：18A
　　导通电阻Rds(on)（典型值）：0.18Ω
　　总功耗Ptot：210W
　　工作温度范围Tj：-55℃至+150℃

特性

2SK3475是一款高性能的功率MOSFET，具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够减少导通损耗，提升整体效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
　　3. 高雪崩击穿能力，提高了器件在异常情况下的耐用性。
　　4. 热稳定性良好，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
　　5. 支持大电流操作，适合用于高功率设备。
　　这些特性使其成为众多功率电子电路中的理想选择。

应用

2SK3475广泛应用于各种功率转换和控制场合，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源(SMPS)设计，如AC/DC适配器和电源模块。
　　2. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
　　3. 音频功率放大器，特别是在D类放大器中。
　　4. 电机驱动与控制电路。
　　5. 其他高频功率处理相关应用场景。