类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：10A
　　导通电阻(RDS(on))：最大30mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）
　　功率耗散(PD)：2.5W

2SK3474-01-TE24L的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该MOSFET在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。
　　此外，该器件的漏极-源极额定电压为30V，适合用于低压功率转换应用，例如笔记本电脑、服务器和通信设备的电源管理模块。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅极电压，使其兼容多种驱动电路设计，并提高了设计的灵活性。
　　在封装方面，该器件采用SOP封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，并且支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。
　　器件还具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行，同时满足工业级工作温度范围要求（-55°C至+150°C），适用于各种恶劣环境。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。

该器件广泛应用于多种电源管理系统中，例如便携式电子设备的电池供电电路、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器以及负载开关控制等场景。
　　在服务器和通信设备中，2SK3474-01-TE24L常用于多相电源设计，以实现高效率和紧凑型电源模块。
　　由于其低导通电阻和良好的热性能，该MOSFET也适用于高电流负载切换，如电机驱动、LED背光控制和热插拔电源管理。
　　此外，该器件还可用于电源适配器、USB电源传输电路以及电源管理IC（PMIC）外围开关元件。
　　对于需要高可靠性和高效能的工业控制系统、测试设备和嵌入式系统，该MOSFET也是一款理想的选择。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, 2SK3475-01-TE24L