时间：2025/8/9 18:58:42
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2SK3469-01MR是一款由东芝公司制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高频开关、功率放大器和电子控制电路中。这款MOSFET以其高开关速度、低导通电阻和良好的热稳定性而著称，适合用于DC-DC转换器、电机控制和电源管理等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.5A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on))：2.8Ω（最大值）
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOT-23
2SK3469-01MR具备多项优良特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其高开关速度使得它适用于高频开关应用，有助于提高电源转换效率。其次，较低的导通电阻（RDS(on)）能够减少功率损耗，从而提升整体系统性能。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了产品的可靠性和寿命。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，能够在多种电压条件下正常工作，适应性强。SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的散热性能。
2SK3469-01MR适用于多种电子设备和系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电路、电机控制、开关电源、高频放大器以及各种便携式电子产品中的功率控制电路。由于其优异的高频性能，它也常用于无线通信设备中的射频开关和信号路径控制。
2SK2996, 2SK3018, 2N3904
