2SK3468 时间：2025/8/9 17:01:21 阅读：29

2SK3468是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高性能的电子电路中。该器件由东芝（Toshiba）公司生产，具备良好的导通特性和低损耗特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高频开关应用。2SK3468采用先进的制造工艺，具有较高的可靠性和稳定性，能够在较高的工作频率下保持良好的性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约9.5mΩ（典型值，取决于栅极电压）
　　功率耗散（PD）：80W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：约28nC
　　输入电容（Ciss）：约1100pF

特性

2SK3468具有多项优异的电气特性，使其在各种高频开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体效率。其次，该器件的最大漏极电流为15A，能够在较大的负载条件下稳定工作。漏源击穿电压为30V，使其适用于多种低压功率应用。此外，2SK3468的栅极电压范围为±20V，确保了在不同驱动条件下仍能保持良好的控制性能。
　　该MOSFET采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，能够有效地将工作时产生的热量传导出去，从而延长器件的使用寿命。其TO-220封装形式便于安装在散热器上，适用于高功率密度设计。此外，2SK3468的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电源管理模块。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的温度稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。同时，其输入电容较低，有助于减少高频工作时的输入延迟，提高系统的响应速度。

应用

2SK3468广泛应用于各种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流电路、电源管理模块、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统（BMS）。由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适合用于高效能的功率转换系统，如笔记本电脑电源适配器、便携式充电设备和车载电子系统。此外，2SK3468也可用于LED驱动电路、工业自动化控制设备以及消费类电子产品中的功率开关。