时间：2025/3/24 9:00:03
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2SK3376TT-B 是一种高性能的 N 沃特（N-Channel）场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高频、高功率的射频放大器和开关电路中。该器件采用双扩散技术制造，具有低导通电阻、高增益和优异的线性度特点，适合于要求严格的通信设备及工业应用。
其封装形式为 TO-3PF，具有良好的散热性能，适用于大功率场合下的持续工作。
最大漏源电压：80V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：4A
功耗：100W
跨导：12S
栅极电荷：50nC
导通电阻：0.3Ω
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
1. 高跨导设计，能够提供更高的增益和更强的驱动能力。
2. 极低的导通电阻，有效降低功率损耗。
3. 支持高频操作，适用于射频放大器和其他高频电路设计。
4. 采用了先进的封装工艺，具备优秀的热稳定性和机械强度。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
6. 内部保护机制可以防止过流和过压情况下的损坏。
这些特点使得该器件成为高效率功率转换和信号放大的理想选择。
1. 射频功率放大器，在通信基站、无线电传输等场景下作为核心组件。
2. 开关电源中的功率级元件，用于实现高效的 DC-DC 或 AC-DC 转换。
3. 工业控制设备中的驱动电路，例如伺服电机驱动或逆变器。
4. 音频功率放大器，提供高保真音质输出。
5. 各类高压、高频应用场景下的电子设备开发。
其高功率处理能力和稳定性使其非常适合需要长时间运行的系统。
2SK2905, 2SK2568
