时间：2025/8/9 16:30:14
阅读：10
2SK3338-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关等应用。该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，提供了低导通电阻和高速开关性能。封装形式为SOT-23，适用于小空间设计，适合便携式设备和高密度电子系统。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：200mA
最大漏-源电压（VDS）：20V
最大栅-源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：2.8Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：4.5nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
2SK3338-01 MOSFET具有多项优良特性，包括低导通电阻、高速开关能力和良好的热稳定性。其低导通电阻（RDS(on)）为2.8Ω，使得在导通状态下功率损耗较小，提高了电源转换效率。该器件采用了沟槽式结构，提高了电流处理能力和开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，仅为4.5nC，有助于减少驱动损耗，提高系统的整体能效。其封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，适用于便携式设备和小型电子产品。
2SK3338-01广泛应用于各种电源管理电路，包括DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、便携式电子产品、小型电源模块和高频开关电源。由于其低导通电阻和高速开关特性，它特别适合用于需要高效能和低功耗的应用场景，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的电源管理单元。
此外，该MOSFET也可用于驱动LED照明、传感器控制、电机驱动和低功耗物联网设备中的开关电路。其SOT-23封装形式使其适用于空间受限的PCB布局，适合自动化贴片生产和高密度装配。
2SK2323, 2SK3018, 2N7000, FDV301N, BSS138
