2SK3325 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等领域。该晶体管具有低导通电阻、高耐压特性,适合在高效能电源系统中使用。其封装形式为TO-220,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):8A(最大)
导通电阻(Rds(on)):0.65Ω(最大)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
功率耗散(Pd):80W
2SK3325 的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。此外,该器件具有较高的漏源击穿电压(500V),能够承受较大的电压应力,适用于高压应用场景。
该MOSFET采用了先进的平面硅技术,具备良好的热稳定性和长期可靠性,适用于高要求的工业和消费类电子产品。TO-220封装设计不仅便于安装在散热片上,还能有效提升散热性能,确保器件在高负载条件下稳定运行。
另外,2SK3325 的栅极驱动特性较为理想,具有较低的输入电容和门极电荷,有助于提高开关速度并降低驱动损耗,适用于高频开关应用。同时,其高耐压能力和过载能力使其在复杂的电气环境中依然保持稳定性能。
2SK3325 常用于各类电源转换设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路以及照明控制系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性,特别适合用于需要高效率和高性能的电源管理应用。
在工业控制领域,2SK3325 可用于电机控制和逆变器系统,提供稳定的开关性能和良好的热管理能力。此外,该器件也广泛应用于消费类电子产品,如变频空调、电磁炉和LED驱动电源等,以提升能效和系统稳定性。
由于其具备较强的耐压能力和良好的导通性能,2SK3325 也可用于高电压电池管理系统和不间断电源(UPS)系统中,作为主开关元件或同步整流元件,实现高效的能量传输。
2SK2644, 2SK2141, IRFBC40