型号：2SK3278
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：3.0 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 2.0 Ω（最大值 2.5 Ω）@ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 450 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：典型值 110 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极快恢复
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)

2SK3278的核心特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达600V，使其适用于高电压开关电源设计，如AC-DC适配器、LED驱动电源和光伏逆变器等。这一高击穿电压确保了器件在瞬态电压波动或负载突变时仍能安全运行，有效防止因过压导致的器件损坏。此外，该MOSFET具备较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下典型值仅为2.0Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。低Rds(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化散热设计，提升产品可靠性。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。2SK3278具有较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），这减少了栅极驱动所需的能量，并加快了开关速度。快速的开关响应使其非常适合用于高频开关电路，例如工作频率在几十kHz到数百kHz的SMPS（开关模式电源）。高速开关不仅减小了磁性元件的体积，还有助于实现更高的功率密度。此外，该器件的阈值电压范围合理（2.0V~4.0V），能够与标准逻辑电平或专用驱动IC良好兼容，避免了额外的电平转换电路。
　　从可靠性角度看，2SK3278采用了坚固的制造工艺和封装技术，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应严苛的工业环境。TO-252封装提供了良好的热传导路径，有利于将芯片热量传递至PCB，从而实现有效的自然散热或配合小型散热器使用。此外，该MOSFET具备一定的抗雪崩能力，能够在意外发生电感反冲或电压尖峰时承受一定的能量冲击，提升了系统在异常工况下的生存能力。这些综合特性使2SK3278在众多同类产品中脱颖而出，成为高性价比的中功率开关器件选择。

2SK3278主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，包括但不限于离线式反激变换器（Flyback Converter）、正激变换器（Forward Converter）以及CCM/DCM模式下的PFC（功率因数校正）电路。在这些拓扑结构中，2SK3278作为主开关管承担能量传输和电压调节的关键任务。其600V的耐压能力恰好满足通用输入电压范围（85V~265V AC）下的整流后母线电压需求，因此广泛用于笔记本电脑适配器、电视机电源、路由器电源等消费类电子产品。
　　此外，该器件也常见于LED照明驱动电源中，特别是在隔离式恒流驱动方案中作为初级侧开关使用。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高驱动效率，降低温升，延长灯具寿命。在工业控制领域，2SK3278可用于小型电机驱动、继电器驱动模块或电磁阀控制电路中，作为功率开关元件实现负载的通断控制。
　　由于其封装为TO-252，适合自动化贴片生产，因此在追求小型化和高可靠性的现代电子产品中备受青睐。它也可用于电池充电器、UPS不间断电源、太阳能微逆变器等新能源相关设备中。在这些应用中，2SK3278凭借其稳定的电气性能和良好的热管理能力，确保系统长时间运行的可靠性与安全性。值得一提的是，在一些低成本但要求稳定的家电产品电源模块中，2SK3278也是一个经济实用的选择。

2SK3279
　　2SK2956
　　K2782
　　STP3NK60ZFP
　　FQP6N60