类型：N沟道
　　最大漏极电压（VDSS）：100V
　　最大栅极-源极电压（VGSS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：110A（在25°C时）
　　最大耗散功率（PD）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.7mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220SM（表面贴装）
　　栅极电荷（Qg）：约270nC
　　输入电容（Ciss）：约3600pF

2SK3273-01M具有多项优异的电气和热性能，使其成为高性能功率应用的理想选择。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。对于需要在高电流下运行的应用，如大功率DC-DC转换器或电机驱动器，这种低Rds(on)特性尤为重要，因为它可以减少功率损耗并提高系统的整体效率。
　　其次，该器件具有较高的额定电流能力（110A），能够在大电流条件下稳定工作。这种高电流能力结合良好的热管理设计，使得2SK3273-01M适用于需要高功率输出的应用。　　该MOSFET的封装形式为TO-220SM，是一种表面贴装型封装，具有良好的热传导性能和机械稳定性。TO-220SM封装不仅支持高功率密度设计，还便于在PCB上安装和散热管理，适用于自动化生产流程。
　　另外，2SK3273-01M具备良好的抗雪崩能力，能够在极端条件下保持稳定运行。这种特性对于需要在高应力环境下工作的应用（如汽车电子、工业控制系统等）非常重要，因为它可以提高系统的可靠性和耐用性。
　　最后，该器件的栅极驱动要求相对较低，可以在标准的10V栅极驱动电压下实现完全导通，这使得其与常见的驱动IC兼容性良好，简化了设计和应用过程。

2SK3273-01M适用于多种高功率和高效率需求的应用场景。首先，它广泛用于开关电源（SMPS）中，作为主开关或同步整流器，以提高电源转换效率并减少发热。在服务器电源、电信设备电源以及工业电源系统中，2SK3273-01M能够提供高效、稳定的性能。
　　其次，该器件适用于DC-DC转换器，尤其是在高电流输出的降压或升压转换器中。其低导通电阻和高电流能力使得在高功率转换过程中能够实现更低的损耗，从而提高整体效率。
　　此外，2SK3273-01M也常用于电机控制和负载开关应用，例如电动工具、电动车辆的电机控制器以及工业自动化设备中的电源管理模块。在这些应用中，该MOSFET能够承受高电流和频繁的开关操作，同时保持良好的稳定性和可靠性。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）等关键部件。其良好的热管理和抗雪崩能力使其在高温和高应力环境下依然表现出色。
　　此外，2SK3273-01M还可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及储能系统的功率开关，帮助实现高效能量转换和管理系统。

SiHF120N10T-GE3, IPP120N10S4-03, FDP120N10AS