2SK3264是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于高功率和高频开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性,适用于如电源转换器、电机驱动、LED照明等多种高功率电子系统。该MOSFET采用TO-220封装,具有良好的散热性能,同时便于安装和使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):9A
导通电阻(Rds(on)):0.85Ω(最大值)
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
2SK3264具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现优异。
首先,其高耐压特性(600V漏源电压)使其适用于高压电源转换和开关应用,如AC-DC电源适配器、逆变器和DC-DC转换器等。
其次,低导通电阻(Rds(on))最大为0.85Ω,这意味着在导通状态下,该器件的功率损耗较低,有助于提高整体系统效率并减少散热需求。
此外,2SK3264具有较高的栅极电压耐受能力(±30V),使得其在使用中更不容易因过电压而损坏,提高了系统的可靠性。
该器件的最大漏极电流为9A,适用于中高功率负载的开关控制,例如电机驱动、继电器控制和大功率LED驱动电路。
TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还使其易于安装在散热片上,从而有效管理器件在高负载下的工作温度。
最后,2SK3264的制造工艺确保了其在高温环境下仍能稳定工作,工作温度范围从-55°C到+150°C,适用于工业级和部分汽车电子应用。
2SK3264广泛应用于多个高功率电子系统领域。
在电源管理方面,它常用于开关电源(SMPS)中的主开关器件,适用于AC-DC和DC-DC转换器设计,提供高效的能量转换。
在电机控制和驱动电路中,该MOSFET可用于H桥电路中的功率开关,控制直流电机或步进电机的方向和速度。
在照明应用中,特别是LED驱动电路中,2SK3264可作为高频开关元件,实现恒流控制和调光功能。
此外,该器件也适用于逆变器系统,如太阳能逆变器或UPS不间断电源系统,用于将直流电转换为交流电。
由于其良好的耐压和电流能力,2SK3264还可用于工业自动化设备中的负载开关控制,例如控制加热元件、电磁阀或继电器的驱动电路。
2SK2648, 2SK1530, IRFBC40, 2SK2141