类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：3.6A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：约0.1Ω（典型值）
　　最大功耗(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

2SK323KD具备多项优良特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其N沟道增强型结构使得该器件在正栅极电压下导通，适用于多数数字和模拟开关应用。该MOSFET的最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流可达3.6A，在小型封装中提供了较高的功率处理能力。
　　该器件的导通电阻较低，典型值约为0.1Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，2SK323KD的最大栅源电压为±20V，具有较好的栅极保护能力，防止因过高的驱动电压而损坏器件。
　　采用TO-252（DPAK）封装形式，使得2SK323KD适用于表面贴装技术（SMT），便于在现代PCB设计中使用，同时具备良好的热管理和机械稳定性。其最大功耗为2.5W，在适当的散热设计下可以稳定工作于较高负载状态。
　　该MOSFET的宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。其高可靠性和良好的开关特性，使其在需要频繁开关操作的应用中表现优异。

2SK323KD适用于多种电子电路设计，常用于电源管理、DC-DC转换器、电池供电设备、负载开关、电机控制以及音频放大器等应用。在电源管理系统中，该器件可作为高效的开关元件，实现对电压或电流的精确控制。例如，在开关电源（SMPS）或同步整流电路中，2SK323KD的低导通电阻和高开关速度可有效降低能量损耗，提高整体效率。
　　在电机控制和负载开关应用中，2SK323KD可用于控制直流电机、继电器或LED灯组的通断，提供快速响应和稳定的负载驱动能力。此外，该MOSFET也常用于电池管理系统，如便携式设备的电源开关、充电控制电路以及电池保护电路中。
　　由于其封装形式适合表面贴装工艺，2SK323KD广泛应用于消费电子产品，如智能手机、平板电脑、无线路由器、数码相机等。同时，其稳定的工作性能也使其适用于工业自动化控制、传感器驱动、智能电表以及汽车电子中的各类控制模块。

2SK323KD的替代型号包括2SK2233、2SK2234、2SK2237、2SK2238、2SK2239等。