类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）: 100mA
　　最大漏-源电压（Vds）: 50V
　　最大栅-源电压（Vgs）: ±20V
　　导通电阻（Rds(on)）: 5Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）: 200mW
　　工作温度范围: -55°C至150°C
　　封装类型: SOT-23

2SK323KBJR具备一系列高性能特性，使其成为多种电子设计中的理想选择。其N沟道结构提供了较高的电子迁移率，从而提高了导通性能。此外，该器件的最大漏极电流为100mA，适用于中等功率的开关和放大应用。其最大漏-源电压为50V，使其能够在较高的电压环境下稳定运行。
　　该晶体管的导通电阻Rds(on)最大为5Ω，这降低了功率损耗并提高了整体效率。在高频应用中，这一低导通电阻有助于减少热量的产生，提高系统稳定性。此外，其栅-源电压最大为±20V，提供了较大的控制电压范围，从而增强了在不同电路配置中的适用性。
　　该器件的功率耗散能力为200mW，适用于低功耗设计，同时其SOT-23封装形式支持表面贴装工艺，使电路板布局更加紧凑。这种封装还提供了良好的散热性能，有助于维持晶体管在长时间运行中的可靠性。
　　工作温度范围从-55°C到+150°C，使得该晶体管能够在极端温度环境下正常运行，适用于工业级和汽车电子系统。此外，该器件具备较高的开关速度，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、射频放大器和负载开关等应用场景。

2SK323KBJR广泛应用于多个领域，包括电源管理、消费电子产品、工业控制、通信设备以及汽车电子等。在电源管理领域，它常用于小型开关电源和DC-DC转换器，提供高效的能量转换。由于其高频开关特性，它也适用于射频功率放大器，用于低功率无线通信模块。
　　在消费电子方面，该晶体管可用于便携式设备中的负载开关和电池保护电路，以延长电池寿命并提高系统效率。工业控制设备中，它可以用于传感器信号调节、小型电机驱动以及继电器替代方案。
　　此外，该器件在汽车电子系统中也有重要应用，例如车载充电器、LED驱动器和车载娱乐系统的电源管理模块。其宽温度范围和可靠性能使其适合在严苛的汽车环境中使用。

2SK2413, 2SK3018, 2N7000