2SK3218是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,常用于高频率开关应用和功率放大器中。该器件具有低导通电阻、高功率密度和快速开关特性,适用于电源转换器、电机控制、DC-DC转换器以及各种高效率电源系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):最大0.085Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
2SK3218的主要特性包括低导通电阻,有助于减少功率损耗,提高系统效率。该MOSFET具有优异的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,同时具备良好的抗冲击和抗过载能力。
此外,2SK3218采用TO-220封装,便于散热和安装,适合高频开关应用。其快速开关特性可以减少开关损耗,提高整体系统的响应速度和能效。
该器件还具有良好的线性工作区,适用于线性稳压器等应用。其设计确保了在高频率操作下的稳定性,并降低了电磁干扰(EMI)的产生。
2SK3218广泛应用于多种功率电子设备中,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
在音频放大器和功率放大电路中,2SK3218也表现出色,适合用于高保真音响系统和专业音频设备。此外,该MOSFET还适用于各种需要高效率、高稳定性和高可靠性的电子系统中。
2SK3217, 2SK2956, IRFZ44N